专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种锡钎料及其制备方法-CN202110029385.4有效
  • 唐卫岗;胡岭;黄世盛;王思鸿;孙军刚;房敏 - 杭州华光焊接新材料股份有限公司
  • 2021-01-11 - 2022-08-19 - B23K35/26
  • 本申请涉及一种锡钎料及其制备方法,锡钎料是由镀铜纳米粉与粒径50‑500nm的纳米铜粉混合而成,所述锡钎料各组分的重量百分比分别为:0.1‑30%的纳米铜粉,70‑99.9%的镀铜纳米粉,纳米粉是指纳米锡与纳米的混合粉体和/或纳米合金粉,所述镀铜纳米粉是指镀铜纳米锡与镀铜纳米的混合粉体和/或镀铜纳米合金粉。纳米粉中锡占比40%‑90%,纳米粉中占比10%‑60%。所述镀铜纳米粉的镀铜层厚度为1‑20nm,镀铜层厚度与纳米粉粒径比例为1:5‑1:10之间。本申请不易形成偏聚、组织粗大等缺陷,接头组织更加均匀,不会形成连续的硬脆相,具有更高的接头强度、韧性;2、同其他锡钎料相比,有利于形成更加致密、气孔率低的钎焊接头,保证器件的密封性。
  • 一种锡铋钎料及制备方法
  • [发明专利]/锑外延超晶格纳米线及其制备方法-CN200910116486.4无效
  • 窦新存;李广海;雷和畅;李亮;黄小虎 - 中国科学院合肥物质科学研究院
  • 2009-04-07 - 2010-10-13 - C30B29/68
  • 本发明公开了一种/锑外延超晶格纳米线及其制备方法。纳米线为纳米线与纳米线外延连接成直径为30~120nm的/锑超晶格纳米线,其中的纳米线和纳米线的每段长度分别为3~99nm和3~99nm,纳米线中的含量为80~50%、锑含量为20~50%;方法为先使用氯化铋、氯化锑、盐酸、酒石酸、柠檬酸、氯化钠和丙三醇配制成电沉积液,再将镀有金膜的多孔氧化铝模板作为阴极,置于电沉积液中于两组交替串接的脉冲电压下进行电沉积,最后将电沉积有/锑外延超晶格纳米线的多孔氧化铝模板置于强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板,制得/锑外延超晶格纳米线。纳米线可广泛地用于温差发电和热电制冷等领域,方法易于实施,适于大规模的工业化生产。
  • 外延晶格纳米及其制备方法
  • [发明专利]一种含空位的钛酸纳米片/UiO-66-NH2-CN202211225056.8在审
  • 路建美;李娜君 - 苏州大学
  • 2022-10-09 - 2023-03-31 - B01J31/38
  • 本发明公开了一种含空位的钛酸纳米片/UiO‑66‑NH2异质结及其制备方法与应用。将二氧化钛、氧化铋、无机盐混合后煅烧,得到钛酸纳米片,然后将钛酸纳米片浸入离子共晶溶剂中,得到含空位的钛酸纳米片;将含空位的钛酸纳米片、二氨基对苯二甲酸、氯化锆和乙酸的混合物水热反应,得到含空位的钛酸纳米片采用简单的离子共晶溶剂浸出的方法,在钛酸纳米片上构建空位,能够有效增强钛酸纳米片晶体结构的不对称性,以含空位的钛酸纳米片为基底,水热生长UiO‑66‑NH2纳米颗粒构建的催化剂具有优异的压电催化性能。
  • 一种空位钛酸铋纳米uio66nhbasesub
  • [发明专利]一种干法纳米颗粒的制备方法-CN201710346197.8在审
  • 吴幸;骆晨 - 华东师范大学
  • 2017-05-17 - 2017-10-24 - B22F9/04
  • 本发明公开了一种干法制备纳米颗粒的方法,该方法首先将生长好的纳米线或纳米薄片转移到微栅、铜网或碳膜上;再将所得微栅、铜网或碳膜装入透射电子显微镜中,打开电子枪开关,使电子束照射到纳米线或纳米薄片上,加速电压在80kV‑300kV,时间30‑180秒;在纳米线或纳米薄片上得到所述纳米颗粒。本发明有益效果洁净高效,无需使用表面活性剂,方法简单,所制得纳米颗粒可用作催化剂、造影剂等用途。
  • 一种干法铋纳米颗粒制备方法
  • [发明专利]一种银氧系纳米粉末的制备方法-CN202210999761.7在审
  • 唐静 - 陕西国际商贸学院
  • 2022-08-19 - 2022-11-22 - C01G29/00
  • 本发明公开了一种银氧系纳米粉末的制备方法,该方法包括:一、将银和氧化铋加入到硝酸溶液中并加热溶解得到硝酸银前驱液;二、将硝酸银前驱液进行超声雾化形成雾滴,然后热解得到银氧系纳米粉末原料;三、将银氧系纳米粉末原料进行后退火热处理,得到银纳米粉末或银氧硫纳米粉末。本发明采用对硝酸银前驱液进行超声雾化并结合热解工艺,实现了对银氧系纳米粉末原料形貌、尺寸和组分的精确控制,再结合后退火热处理工艺,有效调控了产物银氧系纳米粉末的形貌、尺寸和组分,工艺简单,容易实现银氧系纳米粉末的大批量制备
  • 一种银铋氧系纳米粉末制备方法
  • [发明专利]一种直径可调纳米线阵列的制备方法-CN201611216995.0有效
  • 金立川;方觉;张怀武;肖勇;洪彩云;唐晓莉;钟智勇 - 电子科技大学
  • 2016-12-26 - 2018-04-06 - H01L31/0352
  • 一种直径可调纳米线阵列的制备方法,属于材料技术领域。所述直径可调的纳米线阵列,自下而上依次为半导体基片、纳米线阵列、锡纳米液滴,所述锡纳米液滴位于纳米线顶端;所述纳米线阵列的直径通过锡纳米液滴的大小进行调节,长度通过生长时间调节。本发明方法可实现在半导体衬底上制备大面积的直径在20~300nm范围可调的纳米线阵列,且得到的纳米线阵列在250~800nm光波长范围的吸收率大于80%,在高效光电转换器件和光电探测器领域具有重要的应用价值;并且本发明提供的直径可调纳米线阵列的制备方法简单易行,能够与半导体工艺兼容。
  • 一种直径可调纳米阵列制备方法

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